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集成电路（Integrated circuit，简称Ic）的发展历史可以追溯到20世纪中叶。以下是其发展的主要历程和趋势：
早期发展阶段1.1947年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿发明了晶体管，这是微电子技术发展中的第一个里程碑。
1950年结型晶体管诞生。
1951年场效应晶体管发明。
1956年c.S. Fuller发明了扩散工艺。
1958年仙童公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器的杰克·基尔比分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史。
技术进步1960年h.h. Loor和E. castellani发明了光刻工艺。
1962年美国RcA公司研制出moS场效应晶体管。
1963年F.m. wanlass和c.t. Sah首次提出cmoS技术，今天95%以上的集成电路芯片都是基于cmoS工艺。
1964年英特尔的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加一倍。
1966年美国RcA公司研制出cmoS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）。
1967年应用材料公司（Applied materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司。
大规模集成电路时代1971年英特尔推出1kb动态随机存储器（dRAm），标志着大规模集成电路出现。
1971年全球第一个微处理器4004由英特尔公司推出，采用的是moS工艺，这是一个里程碑式的发明。
1974年RcA公司推出第一个cmoS微处理器1802。
1976年16kb dRAm和4kb SRAm问世。
1978年64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临。
个人电脑时代1.1979年英特尔推出5mhz 8088微处理器，之后，Ibm基于8088推出全球第一台pc。
1981年256kb dRAm和64kb cmoS SRAm问世。
1984年日本宣布推出1mb dRAm和256kb SRAm。
1985年微处理器问世，20mhz。
1988年16m dRAm问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段。
现代发展1989年1mb dRAm进入市场。
1989年486微处理器推出，25mhz，1μm工艺，后来50mhz芯片采用0.8μm工艺。
1992年64m位随机存储器问世。
1993年66mhz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺。
1995年pentium pro，133mhz，采用0.6-0.35μm工艺。
1997年300mhz奔腾2问世，采用0.25μm工艺。
1999年奔腾3问世，450mhz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺。
2000年1Gb RAm投放市场。
2000年奔腾4问世，1.5Ghz，采用0.18μm工艺。
